随着芯片技术的不断发展,芯片的性能和可靠性要求日益提高。冷热冲击试验作为一种重要的可靠性测试方法,对于评估芯片在严苛温度变化环境下的性能和稳定性具有关键意义。本方案旨在为 2024 年芯片行业提供一套全面、科学、有效的冷热冲击试验解决方案。
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通过冷热冲击试验,检测芯片在快速温度变化条件下的性能和可靠性,提前发现潜在的质量问题,为芯片的设计优化、生产工艺改进和质量控制提供依据。
选用高性能的冷热冲击试验箱,具备以下技术参数:
温度范围:-70°C 至 +180°C,满足芯片可能面临的严苛温度环境。
温度转换速率:≤5 秒,确保快速的温度切换,以模拟真实的冲击情况。
温度均匀度:≤2°C,保证试验箱内不同位置的温度一致性。
控制系统:采用先进的可编程控制器(PLC)或计算机控制系统,实现精确的温度控制和试验参数设置。
数据采集系统:用于实时采集芯片在试验过程中的电性能参数,如电压、电流、电阻等。
功能测试设备:对芯片进行功能测试,以验证其在冷热冲击前后的功能完整性。
光学显微镜:用于观察芯片表面的物理损伤,如裂纹、分层等。
选取代表不同工艺节点、封装类型和应用领域的芯片作为试验样品,包括但不限于:
先进制程的逻辑芯片(如 7nm、5nm 等)。
存储芯片(如 DRAM、NAND Flash 等)。
射频芯片。
汽车电子芯片。
在试验前,对芯片进行初始性能测试,包括电性能测试、功能测试等,并记录测试结果。
对芯片进行编号,以便于识别和跟踪。
将芯片样品安装在特制的试验夹具上,确保芯片与夹具之间有良好的热传导和电气连接。
将试验夹具放入冷热冲击试验箱内,并连接好数据采集系统和功能测试设备。
设定低温温度为 -60°C,高温温度为 +150°C。
设定温度停留时间:低温和高温各保持 15 分钟。
设定温度转换时间:≤5 秒。
设定试验循环次数:根据芯片的应用场景和质量要求,选择 500 次、1000 次或更多。
启动冷热冲击试验箱,开始试验。
在试验过程中,数据采集系统实时记录芯片的电性能参数,功能测试设备按照设定的时间间隔对芯片进行功能测试。
若试验过程中出现设备故障或异常情况,应立即中断试验,并记录中断时的试验循环次数和芯片状态。
排除故障后,根据中断情况评估是否可以恢复试验。若可以恢复,从中断时的试验循环次数继续进行试验;若无法恢复,重新进行试验。
完成设定的试验循环次数后,停止试验。
将芯片从试验箱中取出,放置在常温环境下恢复一段时间(通常为 24 小时)。
根据芯片的热特性和实际应用环境,选择合适的温度变化速率。较快的温度变化速率可以更有效地检测出芯片的热机械应力问题,但也可能对芯片造成过度损伤。因此,需要在试验效果和芯片保护之间进行平衡。
循环次数应根据芯片的预期使用寿命和可靠性要求来确定。一般来说,对于高可靠性要求的芯片,如航空航天、汽车电子等领域的芯片,需要进行更多的循环次数。
在低温和高温状态下的停留时间应足够长,以使芯片达到热平衡,充分暴露在严苛温度环境下,但停留时间过长可能会增加试验时间和成本。
电性能分析:对比试验前后芯片的电性能参数,如电阻、电容、电感等,评估其变化情况。若电性能参数超出规定的公差范围,则认为芯片存在性能退化。
功能测试分析:对试验后的芯片进行全面的功能测试,与初始功能测试结果进行对比。若芯片出现功能失效,则进一步分析失效原因。
物理损伤分析:使用光学显微镜观察芯片表面和内部的物理损伤,如裂纹、分层、焊点脱落等。分析损伤的类型、位置和严重程度,评估其对芯片性能和可靠性的影响。
根据试验结果,判断芯片是否通过冷热冲击试验。若芯片在试验后仍能保持良好的电性能、功能完整性,且无明显的物理损伤,则认为芯片通过试验,具备在相应温度环境下工作的可靠性。
对于未通过试验的芯片,分析其失效模式和原因,提出改进措施和建议,为芯片的设计和生产工艺优化提供参考。
试验人员应具备相关的专业知识和技能,熟悉试验设备的操作和维护。
在试验过程中,应严格遵守试验设备的操作规程和安全注意事项,确保试验人员和设备的安全。
试验数据应及时、准确地记录和保存,以便后续分析和追溯。